新郑原装锂电充电芯片供货商
锂电池保护芯片的作用
锂电池保护芯片工作原理中的主要元器件的介绍:
1、IC:它是保护芯片的核心，首先取样电池电压，然后通过判断发出各种指令。MOS管:它主要起开关作用
2、保护芯片正常工作:保护芯片上MOS管刚开始可能处于关断状态，磷酸铁锂电池接上保护芯片后，必须先触发MOS管，P+与P-端才有输出电压，触发常用方法——用一导线把B-与P-短接。
3、保护芯片过充保护:在P+与P-上接上一高于电池电压的电源，电源的正极接B+、电源的负极接B-，接好电源后，电池开始充电，电流方向如图所示的I1的流向电流从电源正极出发，流经电池、D1、MOS2到电源负极，IC通过电容来取样电池电压的值，当电池电压达到4.25v时，IC发出指令，使引脚CO为低电平，这时电流从电源正极出发，流经电池、D1、到达MOS2时由于MOS2的栅极与CO相连也为低电平，MOS2关断，整个回路被关断，电路起到保护作用。
4、保护芯片过放保护:在P+与P-上接上一合适的负载后，电池开始放电其电流方向如I2，电流从电池的正极经负载、D2、MOS1到电池的负极，（这时MOS2被D2短路）；当电池放电到2.5v时IC采样并发出指令，让MOS1截止，回路断开，电池被保护了。
一般锂电池充电芯片一般包含操控IC、MOS开关、电阻、电容及辅助器材FUSE、PTC、NTC、ID、存储器等。其间操控IC，在一切正常的情况下操控 MOS开关导通，使电芯与外电路导通，而当电芯电压或回路电流超越规定值时，它马上操控MOS开关关断，维护电芯的。在维护板正常的情况下，Vdd为高电平，Vss，VM为低电平，DO、CO为高电平，当Vdd，Vss，VM一项参数改换时，DO或CO端的电平将发作变化。
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介质厚度的影响在相同介质厚度和材料下，具有较高的特性阻抗值，一般要大20～40Ψ。因此，对高频电路板和高速数字信号传输大多采用微带线结构的设计。同时，特性阻抗值将随着介质厚度的增加而增大。所以，对于特性阻抗值严格控制的高频线路来说，对覆铜板的介质厚度的误差应提出严格要求，一般来说，其介质厚度变化不超过10%。对于多层电路板来说，介质厚度还是个加工因素，是与多层层压加工密切相关，因此，也应严密加以控制。
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分布在焊点表面或内部的气孔、针孔焊点高度接触或超过元件体（吸料现象）元件焊端之间、引脚之间、焊端或引脚与通孔之间的微细锡丝元件端头电镀层不同程度剥落，显露元件体材料元件体或端头有不同程度的裂纹货缺损现象冷焊，又称焊点絮乱还有一些肉眼看不见的缺点，例如焊点晶粒大小、焊点内部应力、焊点内部裂纹等，这些要通过X光，焊点疲劳实验等手法才能检测到。这些缺点主要与温度曲线有关。
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