德州原装锂电充电芯片价格
锂电池保护芯片的作用
锂电池保护芯片工作原理中的主要元器件的介绍:
1、IC:它是保护芯片的核心,首先取样电池电压,然后通过判断发出各种指令。MOS管:它主要起开关作用
2、保护芯片正常工作:保护芯片上MOS管刚开始可能处于关断状态,磷酸铁锂电池接上保护芯片后,必须先触发MOS管,P+与P-端才有输出电压,触发常用方法——用一导线把B-与P-短接。
3、保护芯片过充保护:在P+与P-上接上一高于电池电压的电源,电源的正极接B+、电源的负极接B-,接好电源后,电池开始充电,电流方向如图所示的I1的流向电流从电源正极出发,流经电池、D1、MOS2到电源负极,IC通过电容来取样电池电压的值,当电池电压达到4.25v时,IC发出指令,使引脚CO为低电平,这时电流从电源正极出发,流经电池、D1、到达MOS2时由于MOS2的栅极与CO相连也为低电平,MOS2关断,整个回路被关断,电路起到保护作用。
4、保护芯片过放保护:在P+与P-上接上一合适的负载后,电池开始放电其电流方向如I2,电流从电池的正极经负载、D2、MOS1到电池的负极,(这时MOS2被D2短路);当电池放电到2.5v时IC采样并发出指令,让MOS1截止,回路断开,电池被保护了。
过电流1检出电压:在一般状况下,VM逐渐升至DO由高电平 变为低电平时VM-VSS间电压。过电流2检出电压:在一般状况下,VM从OV起以1ms以上4ms以下的速度升到 DO端由高电平变为低电平时VM-VSS间电压。负载短路检出电压:在一般状况下,VM以OV起以1μS以上50μS以下的速度升至DO端由高电平变为低电平时VM-VSS间电压。充电器检出电压:在过放电状况下,VM以OV逐渐下降至DO由低电平变为变为高电平时VM-VSS间电压。
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LED数码管的结构LED数码管是由发光二管构成的,亦称半导体数码管。 将条状发光二管按照共阴(负)或共阳(正)的方法连接,组成“8”字,再把发光二管另一电作笔段电,就构成了LED数码管。若按规定使某些笔段上的发光二管发光,就能显示从0~9的…系列数字。同荧光数码管(VFD)、辉光数码管(NRT)相比,它具有:体积小、功耗低、耐震动、寿命长、亮度高、单性好、发光响应的时间短,能与TTL、CMOS电路兼容等的数显器件。
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