伊犁地区锂电池充电芯片介绍
锂电池保护芯片的作用
锂电池保护芯片工作原理中的主要元器件的介绍:
1、IC:它是保护芯片的核心,首先取样电池电压,然后通过判断发出各种指令。MOS管:它主要起开关作用
2、保护芯片正常工作:保护芯片上MOS管刚开始可能处于关断状态,磷酸铁锂电池接上保护芯片后,必须先触发MOS管,P+与P-端才有输出电压,触发常用方法——用一导线把B-与P-短接。
3、保护芯片过充保护:在P+与P-上接上一高于电池电压的电源,电源的正极接B+、电源的负极接B-,接好电源后,电池开始充电,电流方向如图所示的I1的流向电流从电源正极出发,流经电池、D1、MOS2到电源负极,IC通过电容来取样电池电压的值,当电池电压达到4.25v时,IC发出指令,使引脚CO为低电平,这时电流从电源正极出发,流经电池、D1、到达MOS2时由于MOS2的栅极与CO相连也为低电平,MOS2关断,整个回路被关断,电路起到保护作用。
4、保护芯片过放保护:在P+与P-上接上一合适的负载后,电池开始放电其电流方向如I2,电流从电池的正极经负载、D2、MOS1到电池的负极,(这时MOS2被D2短路);当电池放电到2.5v时IC采样并发出指令,让MOS1截止,回路断开,电池被保护了。
该维护回路由两个MOSFET(V1、V2)和一个操控IC(N1)外加一些阻容元件构成。操控IC担任监测电池电压与回路电流,并操控两个MOSFET的栅,MOSFET在电路中起开关效果,分别操控着充电回路与放电回路的导通与关断,C3为延时电容,该电路具有过充电维护、过放电维护、过电流维护与短路维护功用,其作业原理分析如下:在正常状况下电路中N1的“CO”与“DO”脚都输出高电压,两个MOSFET都处于导通状况,电池可以自由地进行充电和放电,因为MOSFET的导通阻抗很小,一般小于30毫欧,因而其导通电阻对电路的功能影响很小。此状况下维护电路的耗费电流为μA级,一般小于7μA。
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创建的工程文件网络表只能部分调入pcb:生成netlist时没有选择为global。当使用自己创建的多部分组成的元件时,千万不要使用annotate.PCB制造过程中常见错误造成重孔,在钻孔时因为在一处多次钻孔导致断钻及孔的损伤。多层板中,在同一位置既有连接盘,又有隔离盘,板子做出表现为 隔离,连接错误。图形层使用不规范违反常规设计,如元件面设计在Bottom层,焊接面设计在TOP层, 使人造成误解。
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要明确设计目标接受到一个设计任务,首先要明确其设计目标,是普通的PCB板、高频PCB板、小信号处理PCB板还是既有高频率又有小信号处理的PCB板,如果是普通的PCB板,只要做到布布线合理整齐,机械尺寸准确无误即可,如有中负载线和长线,就要采用一定的手段进行处理,减轻负载,长线要加强驱动,重点是长线反射。 当板上有超过40MHz的信号线时,就要对这些信号线进行的考虑,比如线间串扰等问题。如果频率更高一些,对布线的长度就有更严格的限制,根据分布参数的网络理论,高速电路与其连线间的相互作用是决定性因素,在系统设计时不能忽略。随着门传输速度的提高,在信号线上的反对将会相应增加,相邻信号线间的串扰将成正比地增加,通常高速电路的功耗和热耗散也都很大,在做高速PCB时应引起的重视。
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