阜阳锂电池充电管理芯片厂家
锂电池保护芯片的作用
锂电池保护芯片工作原理中的主要元器件的介绍:
1、IC:它是保护芯片的核心，首先取样电池电压，然后通过判断发出各种指令。MOS管:它主要起开关作用
2、保护芯片正常工作:保护芯片上MOS管刚开始可能处于关断状态，磷酸铁锂电池接上保护芯片后，必须先触发MOS管，P+与P-端才有输出电压，触发常用方法——用一导线把B-与P-短接。
3、保护芯片过充保护:在P+与P-上接上一高于电池电压的电源，电源的正极接B+、电源的负极接B-，接好电源后，电池开始充电，电流方向如图所示的I1的流向电流从电源正极出发，流经电池、D1、MOS2到电源负极，IC通过电容来取样电池电压的值，当电池电压达到4.25v时，IC发出指令，使引脚CO为低电平，这时电流从电源正极出发，流经电池、D1、到达MOS2时由于MOS2的栅极与CO相连也为低电平，MOS2关断，整个回路被关断，电路起到保护作用。
4、保护芯片过放保护:在P+与P-上接上一合适的负载后，电池开始放电其电流方向如I2，电流从电池的正极经负载、D2、MOS1到电池的负极，（这时MOS2被D2短路）；当电池放电到2.5v时IC采样并发出指令，让MOS1截止，回路断开，电池被保护了。
一般锂电池充电芯片一般包含操控IC、MOS开关、电阻、电容及辅助器材FUSE、PTC、NTC、ID、存储器等。其间操控IC，在一切正常的情况下操控MOS开关导通，使电芯与外电路导通，而当电芯电压或回路电流超越规定值时，它马上操控MOS开关关断，维护电芯的。在维护板正常的情况下，Vdd为高电平，Vss，VM为低电平，DO、CO为高电平，当Vdd，Vss，VM一项参数改换时，DO或CO端的电平将发作变化。
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不适用:是用户对印制电路板外观要求严格；注意事项:因重叠拷贝后，焊盘呈椭圆。重叠拷贝后，线、盘边缘的光晕及变形。适用:底片长宽方向变形比例一致，不便重钻试验板时，仅适用银盐底片。不适用:底片长宽方向变形不一致。注意事项:照像时对焦应准确，线条变形。底片损耗较多，通常情况下，需有多次调试后方获得满意的电路图形。对于一个新设计的电路板，调试起来往往会遇到一些困难，是当板比较大、元件比较多时，往往无从下手。但如果掌握好一套合理的调试方法，调试起来将会事半功倍。
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随着速度的提升，EMI将变得越来越严重，并表现在很多方面上（例如互连处的电磁干扰），高速器件对此尤为敏感，它会因此接收到高速的假信号，而低速器件则会忽视这样的假信号。PCB设计中消除电磁干扰的方法有如下几种:减小环路:每个环路都相当于一个天线，因此我们需要尽量减小环路的数量，环路的面积以及环路的天线效应。确保信号在任意的两点上只有唯一的一条回路路径，避免人为环路，尽量使用电源层。
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