深圳锂电池充电管理芯片用于什么产品
作为锂电池安全应用的首位,锂电池保护芯片是电池安全的重要防线,起到防止电池过充,过放以及过流的功能。对于锂电池来说,过充电和充放电过流,都会导致电池发热,若得不到有效控制,电池温升过高会发生危险。锂电池保护芯片能够在电池出现异常过压过流时,切断电池与电路的连接,从而确保锂电池的安全使用。
对于布而言,一个原则是数字和模拟尽可能的分开,令一个原则是低速的不要和高速的接近。most基本的原则就是把数字接地和模拟接地分开,数字接地由于都是开关器件,电流在开关的一瞬间都很大,不动的时候又很小,所以数字接地不可以和模拟接地混在一起。电源与地线之间布线注意事项要在电源、地线之间加上去耦电容。一定要电源经过了去耦电容之后再连接到芯片的管脚,下图中列举了几种错误的连接法和一个正确的连接法,大家对着参照下,是不是有犯这样的错误呢?去耦电容一般来说有两个作用,一个是提供芯片瞬间的大电流,二是去除电源噪声,一方面是让电源的噪声尽量少的影响芯片,另一方面是芯片产生的噪声不要影响到电源。
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电地层又是花焊盘又是连线因为设计成花焊盘方式电源,地层与实际印制板上图像是相反,连线都是隔离线,画几组电源或几种地隔离线时应小心,不能留下缺口,使两组电源短路,也不能造成该连接区域封锁。字符盖焊盘SMD焊片,给印制板通断测试及元件焊接带来不便。字符设计太小,造成丝网印刷困难,太大会使字符相互重叠,分辨。表面贴装器件焊盘太短这是对通断测试而言,对于太密表面贴装器件,其两脚之间间距相当小,焊盘也相当细,安装测试针,上下交错位置,如焊盘设计太短,虽然不影响器件安装,但会使测试针错不开位。
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因为锂离子电池的化学特性,电池生产厂家规定了其放电电流most大不能超越2C(C=电池容量/小时),当电池超越2C电流放电时,将会导致电池的永久性损坏或呈现问题。电池在对负载正常放电进程中,放电电流在经过串联的2个MOSFET时,因为MOSFET的导通阻抗,会在其两端发作一个电压,该电压值U=I*RDS*2,RDS为单个MOSFET导通阻抗,操控IC上的“V-”脚对该电压值进行检测,若负载因某种原因导致反常,使回路电流增大,当回路电流大到使U>0.1V(该值由操控IC决议,不同的IC有不同的值)时,其“DO”脚将由高电压转变为零电压,使V1由导通转为关断,然后切断了放电回路,使回路中电流为零,起到过电流维护效果。在操控IC检测到过电流发作至发出关断V1信号之间,也有一段延不时间,该延不时刻的长短由C3决议,一般为13毫秒左右,以因搅扰而形成误判别。在上述操控进程中可知,其过电流检测值巨细不只取决于操控IC的操控值,还取决于MOSFET的导通阻抗,当MOSFET导通阻抗越大时,对同样的操控IC,其过电流维护值越小。
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