福建8.4V锂电充电芯片生产厂家哪家好
锂电池保护芯片的作用
锂电池保护芯片工作原理中的主要元器件的介绍:
1、IC:它是保护芯片的核心,首先取样电池电压,然后通过判断发出各种指令。MOS管:它主要起开关作用
2、保护芯片正常工作:保护芯片上MOS管刚开始可能处于关断状态,磷酸铁锂电池接上保护芯片后,必须先触发MOS管,P+与P-端才有输出电压,触发常用方法——用一导线把B-与P-短接。
3、保护芯片过充保护:在P+与P-上接上一高于电池电压的电源,电源的正极接B+、电源的负极接B-,接好电源后,电池开始充电,电流方向如图所示的I1的流向电流从电源正极出发,流经电池、D1、MOS2到电源负极,IC通过电容来取样电池电压的值,当电池电压达到4.25v时,IC发出指令,使引脚CO为低电平,这时电流从电源正极出发,流经电池、D1、到达MOS2时由于MOS2的栅极与CO相连也为低电平,MOS2关断,整个回路被关断,电路起到保护作用。
4、保护芯片过放保护:在P+与P-上接上一合适的负载后,电池开始放电其电流方向如I2,电流从电池的正极经负载、D2、MOS1到电池的负极,(这时MOS2被D2短路);当电池放电到2.5v时IC采样并发出指令,让MOS1截止,回路断开,电池被保护了。
用填充块画焊盘这样虽然能通过DRC检查,但在加工时不能直接生成阻焊数据,该焊盘覆盖阻焊剂不能焊接。电地层既设计散热盘又有信号线,正像及负像图形设计在一起,出现错误。大面积网格间距太小网格线间距<0.3mm,PCB制造过程中,图形转移工序在显影后产生碎膜造成断线.提高加工难度。图形距外框太近应至少0.2mm以上的间距(V-cut处0.35mm以上),否则外型加工时引起铜箔起翘及阻焊剂脱落.影响外观质量(包括多层板内层铜皮)。
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分布在焊点表面或内部的气孔、针孔焊点高度接触或超过元件体(吸料现象)元件焊端之间、引脚之间、焊端或引脚与通孔之间的微细锡丝元件端头电镀层不同程度剥落,显露元件体材料元件体或端头有不同程度的裂纹货缺损现象冷焊,又称焊点絮乱还有一些肉眼看不见的缺点,例如焊点晶粒大小、焊点内部应力、焊点内部裂纹等,这些要通过X光,焊点疲劳实验等手法才能检测到。这些缺点主要与温度曲线有关。
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因为锂离子电池的化学特性,电池生产厂家规定了其放电电流most大不能超越2C(C=电池容量/小时),当电池超越2C电流放电时,将会导致电池的永久性损坏或呈现问题。电池在对负载正常放电进程中,放电电流在经过串联的2个MOSFET时,因为MOSFET的导通阻抗,会在其两端发作一个电压,该电压值U=I*RDS*2,RDS为单个MOSFET导通阻抗,操控IC上的“V-”脚对该电压值进行检测,若负载因某种原因导致反常,使回路电流增大,当回路电流大到使U>0.1V(该值由操控IC决议,不同的IC有不同的值)时,其“DO”脚将由高电压转变为零电压,使V1由导通转为关断,然后切断了放电回路,使回路中电流为零,起到过电流维护效果。在操控IC检测到过电流发作至发出关断V1信号之间,也有一段延不时间,该延不时刻的长短由C3决议,一般为13毫秒左右,以因搅扰而形成误判别。在上述操控进程中可知,其过电流检测值巨细不只取决于操控IC的操控值,还取决于MOSFET的导通阻抗,当MOSFET导通阻抗越大时,对同样的操控IC,其过电流维护值越小。
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